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▲韓國次世代非揮發性記憶體發展現況與策略
- 編/著/譯者 ／
拓墣產業研究所
- 出版機關 ／
拓墣科技
- 出版日期 ／
2007-06
- 主題分類 ／
- 施政分類 ／
- ＩＳＢＮ ／
9789867321671
- ＧＰＮ ／
TT00086
- 頁數/張數/片數 ／
64
- 裝訂 ／
平裝
- 定價 ／ NT$
3000
-
95
折優惠價 ／ NT$
2850
簡介
次世代非揮發性記憶體具備比現有Flash的非揮發性、SRAM的高速運算、DRAM的高集積性等性能更強，且耗電更低的產品特性，因此，被視為取代現有各種記憶體的理想技術。
目次
第一章 次世代記憶體技術發展概況
一.技術概要
二.技術重要性
三.國外技術開發動向
四.韓國技術開發動向
五.未來展望
第二章 韓國次世代記憶體推動現況
一.研發目標
二.推動策略
三.推動體系
四.商用化推動策略及計畫
五.現階段推動成果
六.預期推動成果
第三章 韓國主要次世代記憶體技術發展動向
一.PRAM
二.NFGM
三.PoRAM
四.ReRAM
第四章 主要廠商相關技術發展動向
一.三星電子
二.Hynix
三.其他
第五章 目前遭遇瓶頸
一.研究經費不足
二.細部根源技術缺乏
三.研究人力不足
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